图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NSS40200UW6T1G |
| 文档 |
Wire Bond 07/Sept/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Bond Change 07/Sept/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 20mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 150 @ 1A, 2V |
| 功率 - 最大 | 875mW |
| 频率转换 | 140MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN (2x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6WDFN |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 150@10mA@2V|150@500mA@2V|150@1A@2V|150@2A@2V |
| 最大工作频率 | 140(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.02@0.01A@0.1A|0.12@0.1A@1A|0.2@0.01A@1A|0.3@0.02A@2A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1500 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 140(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | WDFN |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 140MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 20mA, 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | 6-WDFN (2x2) |
| 功率 - 最大 | 875mW |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 150 @ 1A, 2V |
| 其他名称 | NSS40200UW6T1G-ND |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 250 at - 10 mA, - 2 V |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 2 A |
| 宽度 | 2 mm |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 长度 | 2 mm |
| 系列 | NSS40200UW6T1G |
| 身高 | 0.75 mm |
| Pd - Power Dissipation | 875 mW |
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